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NVMFD5C470NLWFT1G 適用于緊湊和高效設(shè)計的汽車用功率 MOSFET，安裝在 5x6mm 扁平引線封裝中且具有較高的熱性能。

規(guī)格

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8FL-Dual-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 36 A

Rds On-漏源導通電阻: 9.2 mOhms, 9.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 9 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 24 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

系列: NVMFD5C470NL

配置: Dual

下降時間: 36 ns, 36 ns

正向跨導 - 最小值: 30 S, 30 S

上升時間: 55 ns, 55 ns

晶體管類型: 2 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns, 20 ns

典型接通延遲時間: 9.3 ns, 9.3 ns

單位重量: 161.193 mg

典型應用

電磁閥驅(qū)動器

低壓側(cè)/高壓側(cè)驅(qū)動器

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