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NVMFS6H824NLT1G是符合AEC-Q101標準的汽車用功率MOSFET，采用小尺寸扁平引線DFN5封裝，實現緊湊設計。這些器件具有低QG和電容（最大限度地降低驅動器損耗）和低 RDS(on)（降低傳導損耗）。還提供可濕性側翼選項，用于增強光學檢測。典型應用包括開關電源、電機控制、電源開關（高/低側驅動器、半橋等)、48V系統(tǒng)、直流/直流轉換器和負載開關。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），110A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 140μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2900 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：3，8W（Ta），116W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

應用

● 開關電源

● 電源開關（高側驅動器、低側驅動器、半橋等）

● 48V系統(tǒng)  

● 電機控制

● 負載開關

● 直流/直流轉換器

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