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2MB集成IC STM32H743AII6 高性能ARM微控制器 - MCU

產(chǎn)品介紹

STM32H743BIT6器件集成了高速嵌入式存儲器，具有高達200萬字節(jié)的雙組閃存、高達100萬字節(jié)的RAM（包括192KB的TCM RAM、高達864KB的用戶SRAM和4KB的備份SRAM），以及連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連的廣泛的增強型I/O和外設。

規(guī)格

產(chǎn)品狀態(tài)：激活

核心處理器：ARM? Cortex?-M7

核心尺寸：32位單核

速度:480MHz

連接性：CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, LINbus, MDIO, MMC/SD/SDIO, QSPI, SAI, SPDIF, SPI, SWPMI, UART/USART, USB OTG

外設：欠壓檢測/復位、DMA、I2S、LCD、POR、PWM、WDT

I/O數(shù)量：131

程序存儲器大?。?MB (2M x 8)

程序存儲器類型：FLASH

RAM大小:1M x 8

電壓 - 電源（Vcc/Vdd）：1.62V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉換器：A/D 36x16b; D/A 2x12b

振蕩器類型：內(nèi)部

工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型：表面安裝

特點

1.62至3.6 V應用電源和I/O

POR、PDR、PVD和BOR

嵌入3.3 V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用USB電源為內(nèi)部PHY供電

嵌入式穩(wěn)壓器（LDO），具有可配置的可擴展輸出，為數(shù)字電路供電

運行和停止模式下的電壓比例（6個可配置的范圍）。

后備穩(wěn)壓器（~0.9 V）。

模擬外設/VREF+的電壓基準

低功耗模式： 睡眠、停止、待機和VBAT支持電池充電

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。