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安森美半導(dǎo)體 NVMFS5C410NWFAFT1G Trench6 N溝道MV MOSFET是采用先進的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的40V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。

NVMFS5C410NWFAFT1G產(chǎn)品屬性：

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SO-8FL

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 300 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 760 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 86 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 166 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

系列: NVMFS5C410N

配置: Single

下降時間: 173 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 190 S

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 162 ns

工廠包裝數(shù)量: 1500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 227 ns

典型接通延遲時間: 54 ns

單位重量: 187 mg

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