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AFGHL40T120RW-STD車規(guī)級IGBT符合AEC-Q101標準，采用堅固的場終止型VII溝槽結構。安森美半導體AFGHxL40T IGBT確保耐用性和高性價比。該IGBT可在高需求開關情況下提供出色的性能，具有低導通電壓和開關損耗。該器件非常適合用于汽車應用中的硬開關和軟開關拓撲。

器件規(guī)格

制造商: onsemi

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-247-3LD

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV

集電極—射極飽和電壓: 2 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A

Pd-功率耗散: 468 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: AFGHL40T120RW-STD

柵極—射極漏泄電流: +/- 400 nA

應用

? 汽車電子壓縮機 / 汽車電動車 PTC 加熱器 / OBC

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