商品名稱:ARM微控制器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:VQFN-32
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
CY8C4126LCE-HV403是一款32位高壓微控制器,CPU最高可達(dá)24 MHz。它屬于PSoC 4 HV PA 144k系列,是一款完全集成的可編程嵌入式系統(tǒng),用于電池監(jiān)控和管理。
PSoC HVPA-144k通過(guò)了汽車電子委員會(huì)(AEC)-Q100認(rèn)證。
CY8C4126LCE-HV403——功能
CPU最高可達(dá)24 MHz
帶ECC的64 KB代碼閃存
帶ECC的8 KB數(shù)據(jù)閃存
帶ECC的4 KB SRAM
2個(gè)高壓測(cè)量io(帶高壓分壓器)
0.25%的電壓測(cè)量精度
4個(gè)TCPWM模塊
1個(gè)SCB塊
8個(gè)GPIO引腳
工作溫度:-40°C 至+125°C
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅?。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級(jí)碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場(chǎng)景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…IAUCN08S7N016
IAUCN08S7N016 是一款采用 Infineon 領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)構(gòu)建的OptiMOS? 7 80V 汽車 MOSFET。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的頂部冷卻 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封裝。IAUCN08S7N016專為滿足要求苛刻的汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(…1EDI3025AS
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