商品名稱:藍(lán)牙模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CYBT-243068-02是一款雙模式Bluetooth?BR/EDR和低功耗無線模塊解決方案。該模塊包括一個(gè)板載晶體振蕩器、無源元件和Cypress CYW20820硅器件。
CYBT-243068-02支持多種外設(shè)功能(ADC、PWM),以及多種串行通信協(xié)議(UART、SPI、I2C、I2S/PCM)。該器件采用12.0 × 16.61 × 1.70 mm封裝,包括兼容Bluetooth 5.0的免授權(quán)藍(lán)牙堆棧。
功能
? 多達(dá)18個(gè)GPIO
? I2C、I2S、UART和PCM接口
? 兩個(gè)四通道SPI接口
? 多達(dá)15個(gè)模擬通道的輔助ADC
? 可編程按鍵掃描20 × 8矩陣
? 通用定時(shí)器和六個(gè)PWM
? 實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和看門狗定時(shí)器(WDT)
? 支持藍(lán)牙基本速率(BR)和增強(qiáng)型數(shù)據(jù)速率(EDR)
? 支持通用接入模式(GAP)中心、外圍、觀察者或廣播者角色的藍(lán)牙LE協(xié)議棧
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其核心特性:針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性,可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡(jiǎn)化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…IPTC068N20NM6
IPTC068N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET,采用 PG-HDSOP-16 封裝。這款MOSFET符合IEC61249?2?21規(guī)定的無鹵素要求,根據(jù)J?STD-020標(biāo)準(zhǔn)分類潮濕敏感度等級(jí)為 (MSL 1) 。IPTC068N20NM6具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(…IPP095N20NM6
IPP095N20NM6是一款116 A、OptiMOS? 6 200V 功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合IEC61249?2?21規(guī)定的無鹵素要求。IPP095N20NM6器件采用 PG-TO220-3 封裝,具有優(yōu)良柵極電荷 xRDS(on) 積 (FOM)、極低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和低導(dǎo)通電阻RDS(on) 。IPP095N20NM6主要具備以下特性:N溝道,…電話咨詢:86-755-83294757
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