最新的 STGWA40HP65FB2 IGBT 650 V HB2 系列代表了先進的專有溝槽柵場停結構的發(fā)展。由于在低電流值時具有更好的 VCE(飽和)特性,HB2 系列在傳導方面的性能得到了優(yōu)化,同時還降低了開關能量。一個僅用于保護目的的二極管與 IGBT 反并聯封裝。因此,該產品專門設計用于最大限度地提高各種快速應用的效率。
功能
最高結溫:TJ = 175 °C
低 VCE(sat) = 1.55 V(典型值) @ IC = 40 A
共封裝保護二極管
尾電流最小
嚴格的參數分布
熱阻低
正 VCE(飽和)溫度系數
產品屬性
制造商: STMicroelectronics
產品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.55 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 72 A
Pd-功率耗散: 227 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 72 A
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
工廠包裝數量: 600
單位重量: 6.100 g
型號
品牌
封裝
數量
描述
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