商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S25FS128SAGNFB100是高性能NOR閃存芯片。
該NOR閃存的技術(shù)規(guī)格:
存儲容量:提供128Mb(16MB)的存儲容量。
封裝類型:該芯片采用SOIC-8封裝。
供電電壓:工作電壓范圍為1.8V至3.6V。
工作溫度:支持的溫度范圍為-40°C至+85°C。
訪問速度:
頁面編程時間:50微秒(典型值)。
頁面擦除時間:10毫秒(典型值)。
整片擦除時間:150毫秒(典型值)。
讀操作速度:高達(dá)100MB/s。
寫操作速度:高達(dá)5MB/s。
接口類型:支持SPI接口,具有3線地址線和8線數(shù)據(jù)線。
指令集:支持多種標(biāo)準(zhǔn)SPI指令,包括讀、寫、擦除、狀態(tài)查詢等。
保護(hù)機(jī)制:支持塊保護(hù)、寫保護(hù)、讀保護(hù)等多種保護(hù)機(jī)制。
錯誤校驗:支持硬件和軟件錯誤校驗功能,確保數(shù)據(jù)完整性。
應(yīng)用領(lǐng)域:S25FS128SAGNFB100因其高性能和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域。特別是在需要快速訪問代碼和數(shù)據(jù)的應(yīng)用中,如存儲程序代碼、數(shù)據(jù)和配置文件,以及在醫(yī)療設(shè)備中存儲患者信息、程序代碼和設(shè)備參數(shù)等。
這款NOR閃存芯片以其高速訪問、低功耗、可靠性和穩(wěn)定性,以及易于集成的特點,為各種應(yīng)用提供了可靠的存儲解決方案。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
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ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設(shè)計復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點汽車級認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
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IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
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