商品名稱:CY8C4147LQS-S273T
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY8C4147LQS-S273T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:40-QFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
CY8C4147LQS-S273T 屬于 PSoC? 4 平臺(tái)架構(gòu)。它結(jié)合了帶有標(biāo)準(zhǔn)通信和定時(shí)外設(shè)的微控制器、具有同類最佳性能的電容式觸摸感應(yīng)系統(tǒng) (CAPSENSE?)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開關(guān)電容模擬塊以及可編程連接功能。
CY8C4147LQS-S273T 將可編程和可重新配置的模擬和數(shù)字模塊與靈活的自動(dòng)路由相結(jié)合。
產(chǎn)品屬性
核心處理器: ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核大?。?2 位
速度: 24MHz
輸入/輸出數(shù)量 34
程序存儲(chǔ)器大小:128KB(128K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:FLASH 閃存
RAM 大?。?16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
振蕩器類型 外部、內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 105°C (TA)
封裝/外殼:40-UFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:40-QFN (6x6)
產(chǎn)品特性
32 位 MCU 子系統(tǒng)
48-MHz Arm? Cortex?-M0+ CPU
帶讀取加速器的高達(dá) 128 KB 閃存
高達(dá) 16 KB 的 SRAM
8 通道 DMA 引擎
低功耗 1.71 V 至 5.5 V 工作電壓
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
PLL 可產(chǎn)生 48 MHz 頻率
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
多達(dá) 54 個(gè)可編程 GPIO 引腳
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢(shì)在于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無(wú)與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競(jìng)爭(zhēng)的 150 V 市場(chǎng)樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過(guò)散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
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