商品名稱(chēng):PSRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
S27KS0642GABHI030 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,帶有 HYPERBUS? 接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS? 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來(lái),DRAM 陣列就好像內(nèi)存使用了無(wú)需刷新即可保留數(shù)據(jù)的靜態(tài)單元。因此,將該存儲(chǔ)器描述為偽靜態(tài) RAM(PSRAM)更為準(zhǔn)確。
S27KS0642GABHI030 的特點(diǎn)
HYPERBUSTM 接口
支持 1.8V / 3.0 V 接口
單端時(shí)鐘 (CK) - 11 個(gè)總線信號(hào)
可選差分時(shí)鐘 (CK, CK#) - 12 個(gè)總線信號(hào)
芯片選擇 (CS#)
8 位數(shù)據(jù)總線 (DQ[7:0])
硬件復(fù)位 (RESET#)
雙向讀寫(xiě)數(shù)據(jù)選通 (RWDS)
在所有事務(wù)開(kāi)始時(shí)輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出
在寫(xiě)入事務(wù)期間作為寫(xiě)入數(shù)據(jù)掩碼輸入
-可選 DDR 中心對(duì)齊讀取選通 (DCARS)
在讀取事務(wù)期間,RWDS 被第二個(gè)時(shí)鐘偏移,與 CK 相移
相移時(shí)鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動(dòng) RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
最大時(shí)鐘頻率為 200 MHz
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400 MBps(3,200 Mbps)
可配置的突發(fā)特性:
線性突發(fā)
混合選項(xiàng) - 一個(gè)封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢(shì)在于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車(chē)級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無(wú)與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專(zhuān)為滿足高頻率和低頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競(jìng)爭(zhēng)的 150 V 市場(chǎng)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專(zhuān)為滿足高頻率和低頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過(guò)散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
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