商品名稱:肖特基二極管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
AIDK16S65C5是第 5 代 CoolSiC? 汽車肖特基二極管代表了英飛凌在碳化硅肖特基勢壘二極管領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)。得益于緊湊的設(shè)計(jì)和基于薄晶圓的技術(shù),該系列產(chǎn)品在所有負(fù)載條件下都能提高效率,這得益于其熱特性和低功耗(Qc x Vf)。該產(chǎn)品系列旨在補(bǔ)充英飛凌的 IGBT 和 CoolMOS? 產(chǎn)品組合。這可確保滿足 650V 電壓等級中最嚴(yán)格的應(yīng)用要求。
AIDK16S65C5特點(diǎn)
- 革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅
- 基準(zhǔn)開關(guān)性能
- 無反向恢復(fù)/無正向恢復(fù)
- 開關(guān)行為不受溫度影響
- 高浪涌電流能力
- 無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
- 結(jié)溫范圍為 -40°C 至 175°C
- 系統(tǒng)效率高于硅二極管
- 冷卻要求降低,從而節(jié)省了系統(tǒng)成本/尺寸
- 實(shí)現(xiàn)更高頻率/更高功率密度的解決方案
- 更低的工作溫度帶來更高的系統(tǒng)可靠性
- 減少電磁干擾
AIDK16S65C5 規(guī)格
技術(shù): SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
電流 - 平均整流 (Io) :16A
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf) :1.7 V @ 16 A
速度: 無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) :0 ns
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏: 90 μA @ 650 V
不同 Vr、F 時(shí)電容: 483pF @ 1V,1MHz
等級: 汽車級
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-2
工作溫度 - 結(jié): -40°C ~ 175°C
AIDK16S65C5潛在應(yīng)用
- 升壓器/DCDC 轉(zhuǎn)換器
- 板載充電器/PFC
型號
品牌
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設(shè)計(jì)復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì),適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
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