商品名稱:碳化硅 MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。
C3M0021120D 的特點
第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)
高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻
高速開關(guān),低電容
具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
C3M0021120D 的優(yōu)點
降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴
更高的系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
C3M0021120D 的應(yīng)用
太陽能逆變器
電動汽車電機驅(qū)動
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
負(fù)載開關(guān)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ,屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù),優(yōu)化電源端子布局,可降低電感并減少過沖電壓,同時具備低開關(guān)損耗特性。核心參數(shù)技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(…ECB2R8M12YM3
ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊,屬于YM系列六包三相模塊,額定電壓為1200V,額定電流460A,導(dǎo)通電阻2.8mΩ,采用 Gen 3 工藝,最高結(jié)溫可達(dá)175C。該模塊尺寸為154.5126.532mm,適用于汽車電子領(lǐng)域。主要規(guī)格產(chǎn)品:ECB2R8M12YM3技術(shù):碳化硅(SiC)配…ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ,屬于六單元模塊 (YM系列),適用于汽車電子領(lǐng)域。以下是其核心參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):700A不同 Id、Vgs 時…C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…電話咨詢:86-755-83294757
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