ATSAM4S8BA-MU是一款基于ARM Cortex?-M4內核的閃存微控制器，具有高達512KB閃存和128KB SRAM 硬件安全性有改善，可通過防止訪問片上存儲器，保護知識產權。
ATSAM4S8BA-MU的主要特性包括：
120MHz最大運行速度
512KB閃存和128KB SRAM
1.62V - 3.6V電源
低工作頻率時的動態(tài)模式功耗為200μA/MHz。備用模式中，運行RTC的情況下，100MHz時為30mA，1.8V時為3μA。
外部總線接口支持SRAM、PSRAM、NOR閃存、LCD模塊和NAND閃存
具有大量外設集，可用于連接、系統(tǒng)控制和模擬接口
原生支持Atmel QTouch?電容式觸控技術，可實現按鈕、滑塊和滾輪
引腳兼容Atmel SAM7S、SAM3N和SAM3S MCU
并行輸入/輸出(IO)數據采集模式
應用領域
ATSAM4S8BA-MU微控制器適用于需要高性能處理和豐富外設接口的應用場景，如：
醫(yī)療器械
音頻
工業(yè)自動化
機對機(M2M)通信
計算機、手機和游戲外設
測試和測量
智能網格
消費品和玩具
住宅和樓宇自動化
型號
品牌
封裝
數量
描述
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