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L6482HTR器件采用模擬混合信號技術(shù)，是一種先進(jìn)的全集成解決方案，適用于以微步方式驅(qū)動兩相雙極步進(jìn)電機(jī)。

L6482HTR它為 N 溝道 MOSFET 功率級集成了一個雙全橋柵極驅(qū)動器，內(nèi)嵌非耗散過流保護(hù)功能。由于采用了新的電流控制，通過自適應(yīng)衰減模式實(shí)現(xiàn)了 1/16 微步，其性能優(yōu)于傳統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方式。數(shù)字控制內(nèi)核可生成用戶定義的運(yùn)動曲線，并通過專用寄存器集對加速、減速、速度或目標(biāo)位置進(jìn)行輕松編程。所有應(yīng)用指令和數(shù)據(jù)寄存器，包括用于設(shè)置模擬值（即電流保護(hù)跳閘點(diǎn)、死區(qū)時間、PWM 頻率等）的指令和數(shù)據(jù)寄存器，均通過標(biāo)準(zhǔn)的 5-Mbit/s SPI 發(fā)送。豐富的保護(hù)功能（熱保護(hù)、低總線電壓保護(hù)、過流保護(hù)和電機(jī)失速保護(hù)）使 L6482 器件 “刀槍不入”，滿足最苛刻電機(jī)控制應(yīng)用的要求。

L6482HTR特性

? 工作電壓：7.5 V - 85 V

? 用于 N 溝道 MOSFET 的雙全橋柵極驅(qū)動器

? 完全可編程柵極驅(qū)動

? 嵌入式米勒鉗位功能

? 可編程速度曲線

? 高達(dá) 1/16 微步

? 具有自動適應(yīng)衰減模式的高級電流控制

? 集成穩(wěn)壓器

? SPI 接口

? 低靜態(tài)待機(jī)電流

? 可編程非耗散過流保護(hù)

? 過溫保護(hù)

產(chǎn)品屬性

電機(jī)類型 - 步進(jìn)： 雙極性  

功能： 控制器 - 換向，方向管理  

輸出配置： 前置驅(qū)動器 - 半橋（4）  

接口 ：SPI  

技術(shù) 功率： MOSFET  

步進(jìn)分辨率： 1 ~ 1/16  

應(yīng)用：通用   

電壓 - 供電： 3.3V，5V    

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）祼焊盤  

供應(yīng)商器件封裝： 38-HTSSOP 

L6482HTR應(yīng)用

? 雙極步進(jìn)電機(jī)

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