商品名稱:ARM 微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:20+
封裝:TSSOP-20
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32F030F4P6TR 是高性能 Arm? Cortex?-M0 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率為 48 MHz,具有高速嵌入式存儲器(多達(dá) 256 Kbytes 閃存和多達(dá) 32 Kbytes SRAM)以及大量增強(qiáng)型外設(shè)和 I/O。所有器件都提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(多達(dá)兩個(gè) I2C、兩個(gè) SPI 和六個(gè) USART)、一個(gè) 12 位 ADC、七個(gè)通用 16 位定時(shí)器和一個(gè)高級控制 PWM 定時(shí)器。
STM32F030F4P6TR 的規(guī)格
內(nèi)核: ARM Cortex M0 ARM 皮質(zhì) M0
程序存儲器大小: 16 kB
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 位
ADC 分辨率: 12 位 12 位
最大時(shí)鐘頻率: 48 MHz
I/O 數(shù)量: 15 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大?。? kB
電源電壓 - 最低:2.4 V
電源電壓 - 最大值:3.6 V
最低工作溫度:- 40 ℃
最高工作溫度 + 85 ℃
數(shù)據(jù) RAM 類型: SRAM
I/O 電壓: 2.4 V 至 3.6 V
接口類型 I2C、SPI、USART
ADC 通道數(shù) 11 通道
STM32F030F4P6TR 的特性
內(nèi)核: Arm? 32 位 Cortex?-M0 CPU,頻率高達(dá) 48 MHz
存儲器
- 16 至 256 KB 閃存
- 4 至 32 千字節(jié) SRAM,帶硬件奇偶校驗(yàn)
CRC 計(jì)算單元
復(fù)位和電源管理
- 數(shù)字和 I/O 電源: VDD = 2.4 V 至 3.6 V
- 模擬電源: VDDA = VDD 至 3.6 V
- 開機(jī)/關(guān)機(jī)復(fù)位 (POR/PDR)
- 低功耗模式: 睡眠、停止、待機(jī)
時(shí)鐘管理
- 4 至 32 MHz 晶體振蕩器
- 用于 RTC 的 32 kHz 振蕩器,帶校準(zhǔn)功能
- 內(nèi)部 8 MHz RC,帶 x6 PLL 選項(xiàng)
- 內(nèi)部 40 kHz RC 振蕩器
多達(dá) 55 個(gè)快速 I/O
- 全部可映射外部中斷向量
- 多達(dá) 55 個(gè)具有 5V 容差能力的 I/O
5 通道 DMA 控制器
一個(gè) 12 位、1.0 μs ADC(最多 16 個(gè)通道)
- 轉(zhuǎn)換范圍 0 至 3.6 V
- 獨(dú)立模擬電源: 2.4 V 至 3.6 V
日歷 RTC,帶警報(bào)和從停止/待機(jī)狀態(tài)定期喚醒功能
11 個(gè)定時(shí)器
- 一個(gè) 16 位高級控制定時(shí)器,用于六通道 PWM 輸出
- 最多 7 個(gè) 16 位定時(shí)器,最多 4 個(gè) IC/OC、OCN,可用于紅外控制解碼
- 獨(dú)立和系統(tǒng)看門狗定時(shí)器
- SysTick 定時(shí)器
通信接口
- 最多兩個(gè) I2C 接口
- 在一個(gè)或兩個(gè) I/F 上支持快速模式增強(qiáng)(1 Mbit/s),帶 20 mA 電流灌槽
- 支持 SMBus/PMBus(在單個(gè)輸入/輸出接口上)
- 最多六個(gè) USART,支持主同步 SPI 和調(diào)制解調(diào)器控制;其中一個(gè)具有自動波特率檢測功能
- 最多兩個(gè) SPI(18 Mbit/s),帶 4 至 16 個(gè)可編程位幀
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
WFBGA-84
2000
ARM微控制器 - MCU 2-channel PFR with 4MB Flash and Tamper Countermeasures
ST
LQFP-48
12400
ARM? Cortex?-M0 STM32F0 微控制器 IC 32-位 48MHz 128KB(128K x 8) 閃存 48-LQFP(7x7)
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PWD5T60TR是一款三相高密度功率驅(qū)動器,集成了柵極驅(qū)動器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。PWD5T60TR是風(fēng)扇、泵和小型家電等電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)解決方案。集成功率MOSFET具有1.38 Ω的RDS(on) 和500 V阻斷電壓。該器件的高度集成設(shè)計(jì)能夠高效驅(qū)動負(fù)載,并顯著減小封裝尺寸,使PWD5…STBR3012L2Y
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