S25HS02GTDZBHB053 是 Infineon 推出的符合 ISO 26262 標準的汽車級 SEMPER? NOR 閃存產品。它在 Quad SPI 接口上提供 2 Gbit 的密度,接口帶寬為 80 MByte/s。它的工作電壓為 1.8 V,支持 133 MHz 的接口頻率。應用包括汽車儀表盤、高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS) 以及網絡通信。
此外,S25HS02GTDZBHB053主要具備以下參數:
存儲器類型:非易失
存儲器格式:閃存
技術:FLASH - NOR(SLC)
存儲容量:2Gb
存儲器組織:256M x 8
存儲器接口:SPI - 四 I/O,QPI
時鐘頻率:133 MHz
寫周期時間 - 字,頁:1.7ms
訪問時間:6 ns
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-TBGA
型號
品牌
封裝
數量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導通電阻、高電流能力和出色的熱性能,適用于汽車級應用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產的 55V N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導通電阻和高電流能力,適用于汽車級應用,符合 AEC-Q101 標準。ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 6 系列,采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 TDSON-8(PG-TDSON-8)封裝。IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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