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BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET，采用 TDSON-8封裝，屬于 OptiMOS? 5系列。該器件專為高效電源轉(zhuǎn)換設計，適用于服務器電源、通信設備、太陽能逆變器、低壓驅(qū)動及適配器等應用。其優(yōu)化的低導通電阻（RDS(on)） 和 高開關(guān)頻率 特性，可顯著提升系統(tǒng)效率并降低功耗。

核心特性

低導通電阻（RDS(on)）

5.2mΩ @ VGS=10V, ID=47.5A，減少導通損耗。

相比上一代產(chǎn)品，RDS(on)降低高達43%，提高功率密。

連續(xù)漏極電流（ID）：95A

脈沖漏極電流（IDM）：380A，適用于高瞬態(tài)負載。

上升時間：7ns

下降時間：5ns，減少開關(guān)損耗。

低熱阻封裝（TDSON-8），提升散熱效率。

工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C，適應嚴苛環(huán)境。

低柵極電荷（Qg）32nC @ VGS=10V，降低驅(qū)動損耗，提高效率。

關(guān)鍵參數(shù)

型號：BSC052N08NS5 

漏源電壓（VDS）： 80 V

連續(xù)漏極電流（ID）： 95 A

導通電阻（RDS(on)）： 5.2mΩ（@10V, 47.5A）

柵極電荷（Qg） 32 nC（@10V）

輸入電容（Ciss） 2.9nF（@40V）

開關(guān)頻率：100kHz

封裝：TDSON-8

潛在應用

通信

服務器

太陽能

低壓驅(qū)動器

輕型電動車

適配器

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