商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-220
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET? 系列 的一款 N溝道功率MOSFET,采用 TO-220AB封裝,適用于高電流開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。該器件憑借低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力及優(yōu)異的散熱性能,成為工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)選方案。
特性(IRFB3306GPBF)
符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的通孔式電源封裝
高電流額定值
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品認(rèn)證
針對開關(guān)頻率低于<100 kHz的應(yīng)用優(yōu)化的硅材料
與上一代硅材料相比,體二極管更柔和
提供廣泛的產(chǎn)品組合
技術(shù)參數(shù)(IRFB3306GPBF)
漏源電壓 :60V
連續(xù)漏極電流 :在 25°C 時為 160A,當(dāng)結(jié)溫為 150℃時為 120A
導(dǎo)通電阻 :最大值為 4.2mΩ @ 75A,10V,典型值為 3.3mΩ @ 79A,10V,1.9mΩ @ 112A,10V
柵極閾值電壓 :最大值為 4V @ 150μA
柵極電荷量 :最大值為 120nC @ 10V
輸入電容 :最大值為 4520pF @ 50V
反向傳輸電容 :最大值為 250pF
耗散功率 :最大值為 230W(Tc)
工作溫度 :-55℃~+175℃(TJ)
優(yōu)勢(IRFB3306GPBF)
標(biāo)準(zhǔn)引腳布局支持直接替換
高電流承載能力封裝
符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證級別
在低頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色
提升功率密度
為設(shè)計師提供靈活性,可選擇最適合其應(yīng)用的器件
應(yīng)用(IRFB3306GPBF)
開關(guān)電源中的高效率同步整流
不間斷電源
高速電源開關(guān)
硬開關(guān)和高頻電路
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IMTA65R033M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…ISP670P06NMA
ISP670P06NMA 采用 0.167 歐姆的低 RDS(on) 值,便于功率損耗管理,使其成為 SOT-223 封裝中專為汽車應(yīng)用設(shè)計的最佳 MOSFET。P 溝道器件的主要優(yōu)勢在于簡化設(shè)計復(fù)雜性。此外,該 MOSFET 的雪崩耐受能力使其適用于高要求應(yīng)用。ISP670P06NMA 的特點(diǎn)汽車級認(rèn)證產(chǎn)品組合中最低…ISC165N15NM6
ISC165N15NM6 采用 OptiMOS? 6 150 V 技術(shù),憑借其無與倫比的性能和可靠性,為傳統(tǒng) OptiMOS? 3 150 V 產(chǎn)品提供了理想的替代方案。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。ISC165N15NM6 的特點(diǎn)與 OptiMOS? 5 相IPTC034N15NM6
IPTC034N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 在標(biāo)準(zhǔn)模式下,為高度競爭的 150 V 市場樹立了新的性能標(biāo)桿。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)專為滿足高頻率和低頻率開關(guān)應(yīng)用的需求而設(shè)計,適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)模式。結(jié)合 TOLT 封裝,它實(shí)現(xiàn)了頂部散熱,提供卓越的熱性能,通過散熱片將高達(dá) 9…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: