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IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造，P 溝道增強型功率 MOSFET，TO-263（D2Pak-3L）表面貼裝封裝，兼具低導通電阻與低柵極電荷，易于并聯(lián)，可承受高 dv/dt 與雪崩能量，適合高頻、高功率密度應用。

IXTA26P20 關鍵特性

? 低 RDS(on)：典型 140 mΩ，最大 170 mΩ（@ VGS = 10 V, ID = 13 A）

? 低柵極電荷：Qg = 56 nC（典型 @ VGS = 10 V）

? 快速開關：上升/下降時間 < 100 ns，易于高頻驅(qū)動

? 高功率密度：300 W（Tc = 25 °C）

? 雪崩與 dv/dt 額定，溫度系數(shù)正，便于并聯(lián)均流

IXTA26P20 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 26 A

Rds On-漏源導通電阻: 170 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 56 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

IXTA26P20 典型應用

? 高邊開關：汽車、工業(yè) 24 V / 48 V 母線

? 同步降壓或升壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

? 電機驅(qū)動：直流/無刷電機 H 橋高邊臂

? 電源管理：電池保護、電子保險絲、固態(tài)繼電器

? 測試與測量設備的大電流切換與負載控制

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