商品名稱:IKWH70N65WR6XKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IKWH70N65WR6XKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IKWH70N65WR6XKSA1 采用 TO-247-3-HCC 封裝、單片集成反并聯(lián)二極管的 650 V/70 A IGBT。
650 V/70 A TRENCHSTOP? 5 WR6 高速逆導(dǎo)型 IGBT 采用 TO-247-3-HCC 封裝,增加爬電距離和電氣間隙。該產(chǎn)品專門針對(duì) RAC/CAC的 PFC 和逆變焊機(jī)進(jìn)行了優(yōu)化。WR6 IGBT 優(yōu)異的性價(jià)比讓成本敏感型客戶也能享用高性能技術(shù)。WR6 可提供最低 VCEsat 和 Esw,支持高達(dá) 75 kHz 的開關(guān)頻率。WR6 IGBT 還可通過增加電氣間隙和爬電距離,實(shí)現(xiàn)更可靠的設(shè)計(jì)。
特點(diǎn)
? VCE = 650 V
? IC = 70 A
? 引腳間爬電距離 > 4.8 mm
? 引腳間隙 > 3.4 mm
? 針對(duì) PFC 和焊接應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的單片二極管
? 穩(wěn)定的溫度特性
? 極低的 VCEsat 和低 Eoff
? 基于 VCEsat 正溫度系數(shù)的輕松并聯(lián)開關(guān)能力
? VCEsat 和 Esw 的溫度依賴性低
潛在應(yīng)用
? 全氟化碳
? 焊接
? ZCS 應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流能力和出色的熱性能,適用于汽車級(jí)應(yīng)用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飛凌生產(chǎn)的 55V N 溝道功率 MOSFET,屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于汽車級(jí)應(yīng)用,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 6 系列,采用 PG-TDSON-8 FL 封裝。IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 TDSON-8(PG-TDSON-8)封裝。IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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