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供應功率晶體管 IKW40N65ES5 IGBT 單管,采用 TO247 封裝

供應功率晶體管 IKW40N65ES5 IGBT 單管,采用 TO247 封裝

來源:本站時間:2023-12-30瀏覽數:

深圳市明佳達電子有限公司全新原裝供應功率晶體管 IKW40N65ES5 IGBT 溝道 650 V 79 A 230 W 通孔 PG-TO247-3 描述采用 TO247 封裝的英飛凌 650 V,40 A 硬開關 TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT 適合開關頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應用,可實現高效率和更快的產品上市周期,降…

深圳市明佳達電子有限公司全新原裝供應功率晶體管 IKW40N65ES5 IGBT 溝道 650 V 79 A 230 W 通孔 PG-TO247-3 


描述

采用 TO247 封裝的英飛凌 650 V,40 A 硬開關 TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT 適合開關頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應用,可實現高效率和更快的產品上市周期,降低電路設計復雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。


特征描述

在 25°C 下, VCEsat 低至 1.35 V,比 TRENCHSTOP? 5 H5 低 20%

Ic 脈沖電流的 4 倍 (100°C Tc)

軟電流下降特性,無尾電流

對稱的,電壓過沖

柵極電壓受到控制(無振動)。沒有不必要的設備導通風險,也不需要柵極箝位

最高結溫 Tvj = 175°C

質量符合 JEDEC 標準


優(yōu)勢

不需要 VCEpeak 箝位電路

不需要柵極箝位元件

出色的 EMI 行為

非常適合并聯


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