最新資訊深圳明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器深圳明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)外電子元器件的領(lǐng)先分銷商，現(xiàn)備有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器庫(kù)存。產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格HMC521ALC4TR 是一款緊湊…
深圳明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器
深圳明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)外電子元器件的領(lǐng)先分銷商，現(xiàn)備有 HMC521ALC4TR 8.5 GHz 至 13.5 GHz 砷化鎵 MMIC I/Q 混頻器庫(kù)存。
產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格
HMC521ALC4TR 是一款緊湊型砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC），采用相位差四象限（I/Q）混頻器設(shè)計(jì)，封裝于符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 24 引腳陶瓷無(wú)引線芯片載體（LCC）中。HMC521ALC4TR 器件可作為圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器使用。HMC521ALC4TR 混頻器集成了兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻單元和一個(gè) 90° 混頻耦合器，所有組件均采用 GaAs 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）技術(shù)制造。HMC521ALC4TR 器件為混合型圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器提供了更緊湊的替代方案。HMC521ALC4TR 消除了對(duì)引線鍵合的需求，支持表面貼裝制造技術(shù)。
HMC521ALC4TR的關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格：
頻率范圍：8.5 GHz至13.5 GHz
轉(zhuǎn)換損耗：典型值9 dB
圖像抑制：典型值27.5 dBc
本振與射頻隔離：典型值39 dB
輸入IP3：典型值16 dBm
中頻帶寬：直流至3.5 GHz
封裝尺寸：3.9 mm × 3.9 mm（16 mm2）LCC-24封裝
HMC521ALC4TR的產(chǎn)品特性與架構(gòu)優(yōu)勢(shì)
HMC521ALC4TR采用砷化鎵金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）技術(shù)制造，集成了兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個(gè)90°混合耦合器。這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供了多個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)：
多功能應(yīng)用：HMC521ALC4TR 可同時(shí)作為圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器使用，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供高度靈活性。
緊湊型設(shè)計(jì)：HMC521ALC4TR 體積更小，可替代傳統(tǒng)混合圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件，特別適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
表面貼裝兼容性：HMC521ALC4TR無(wú)需布線，可直接采用表面貼裝技術(shù)（SMT）制造，簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程并提升可靠性。
高性能指標(biāo)：HMC521ALC4TR具備卓越的圖像抑制能力（27.5 dBc）和本振/射頻隔離性能（39 dB），確保系統(tǒng)信號(hào)處理的純凈度與穩(wěn)定性。
HMC521ALC4TR 的典型應(yīng)用領(lǐng)域
微波和非常小孔徑終端（VSAT）無(wú)線電設(shè)備：在衛(wèi)星通信系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的頻率轉(zhuǎn)換功能。
測(cè)試和測(cè)量設(shè)備：為高頻測(cè)試儀器提供精確的信號(hào)處理能力。
軍事電子系統(tǒng)：
電子戰(zhàn)（EW）設(shè)備
電子對(duì)抗（ECM）系統(tǒng)
指揮、控制、通信與情報(bào)（C3I）系統(tǒng)
5G通信基礎(chǔ)設(shè)施：是5G芯片和通信IC產(chǎn)品線的重要組成部分。
航空航天系統(tǒng)：在雷達(dá)和導(dǎo)航等關(guān)鍵系統(tǒng)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
時(shí)間：2025-07-07
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