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深圳市明佳達電子有限公司

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AI 處理器

電阻器網絡

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單價

操作

LMG2640RRGR
TI

產品說明:650V 105mΩ 氮化鎵半橋驅動器,集成驅動、保護和電流檢測功能

封裝:VQFN-40
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3614REQR
TI

產品說明:650V 170mΩ 氮化鎵場效應晶體管,內置驅動器和保護功能

封裝:VQFN-38
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3526R030RQSR
TI

產品說明:具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET

封裝:VQFN-52
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

產品說明:具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET

封裝:VQFN-54
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

產品說明:100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級

封裝:18-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

產品說明:具有集成驅動器的 100V 4.4mΩ GaN FET

封裝:15-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

產品說明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i

封裝:CCPAK1212i
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

產品說明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212

封裝:CCPAK1212
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

產品說明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)

封裝:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

產品說明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN

封裝:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

產品說明:650V 170mΩ GaN FET,帶集成驅動器、保護和電流檢測功能

封裝:VQFN-38
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

產品說明:600V 30mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電壓檢測功能

封裝:54-VQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

產品說明:100V 4.4mΩ 半橋 GaN FET,帶集成驅動器和保護功能

封裝:WQFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

產品說明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝:OM?780?4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

產品說明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

產品說明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
共24記錄?上一頁12下一頁?
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