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MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管
主要特性
MOSFET
- 低 RDS(ON) 和 QG
- 快速開關
- 穩(wěn)健設計
- 雪崩額定值
- 高性能動態(tài)快恢復二極管
高性能動態(tài)快速恢復二極管
- 由串聯二極管組成
- 增強了動態(tài)性能,適用于高頻操作
產品屬性
隔離電壓:2500 V
符合 RoHS 規(guī)范
環(huán)氧樹脂符合 UL 94V-0 標準
用于 PCB 安裝的焊接引腳
背面 DCB 陶瓷
先進的功率循環(huán)
低漏極至片極電容(< 40 pF)
應用:功率因數校正 (PFC)
功率因數校正 (PFC)
開關模式電源 (SMPS)
不間斷電源 (UPS)
MXB12R600DPHFC - 引腳分布圖(ISOPLUS i4-PAC)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? X2-Class 系列,采用 TO-247-4L 封裝,適用于高頻開關電源、電機驅動及工業(yè)逆變器 等應用。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅動等應用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關應用設計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力,電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關應用。該產品具有以下主要參數:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下:特點經過優(yōu)化用于低開關損耗正熱系數VCE(sat)國際標準封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅動要求低反向并聯sonic二…電話咨詢:86-755-83294757
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