TP70H480G4JSGB 700V、480mΩ 氮化鎵（GaN）FET 是一款常關器件，采用第四代SuperGaN平臺。它結合了最先進的高壓氮化鎵 HEMT 和低壓硅 MOSFET，提供卓越的可靠性和性能。其主要特性包括：
■ 第四代技術
■ JEDEC合格的氮化鎵技術
■ 動態(tài) RDS（on）eff 生產測試
■ 堅固的設計，定義為
● 瞬態(tài)過壓能力
● 使用 E 模式柵極驅動器運行，無需齊納保護。
■ 非常低的 QRR
■ 減少交叉損耗
■ 符合RoHS標準的無鹵包裝
■ 2 kV HBM ESD 額定值
該第四代 SuperGaN? 平臺采用先進的外延和專利設計技術，通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復電荷來簡化可制造性，同時提高硅效率。
應用領域
TP70H480G4JSGB廣泛用于以下領域
■ 消費領域
■ 電源適配器
■ 低功耗 SMPS
■ 照明系統
型號
品牌
封裝
數量
描述
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