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IPL65R165CFD是 650V CoolMOS? CFD2 系列功率晶體管，采用超級結（Superjunction）技術設計，具有快速開關和低損耗特性。該產品適用于高壓功率應用，提供出色的能效和可靠性。

IPL65R165CFD 產品特性

高電壓設計：支持 650V 漏源極電壓（Vds）。

低導通電阻：最大導通電阻為 165mΩ（@10V, 9.3A）。

快速開關：具備快速開關能力，降低開關損耗。

內置快速體二極管：提供低反向恢復電荷（Qrr），減少開關過程中的損耗。

低封裝尺寸：采用 PG-VSON-4 封裝，尺寸為 8.1x8.1mm，適合空間受限的應用。

高功率密度：支持高達 195W 的耗散功率。

寬工作溫度范圍：工作溫度范圍為 -40°C 至 +150°C。

IPL65R165CFD 產品優(yōu)勢

低損耗設計：由于低導通電阻和快速體二極管，顯著降低開關和傳導損耗。

高可靠性：具備出色的抗電磁干擾（EMI）性能和高耐壓能力。

易于設計：簡化電路設計，適合多種高壓應用場景。

高性價比：相比傳統 600V CFD 技術，提供更低的損耗和更高的能效。

IPL65R165CFD 潛在應用

650VCoolMOS?CFD2 特別適用于諧振開關級，如 PCSilverbox、LCDTV、照明、服務器和電信。

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